مدل‌سازي و شبيه‌سازي تأثير بمب الكترومغناطيسي HPM بر روي سامانه‌ها و قطعات الكترونيكي مراكز فرماندهي و كنترل در باند UHF

محافظت از دستگاه‌هاي الكترونيكي سامانه ها و مراكز فرماندهي و كنترل در برابر امواج الكترومغناطيس ساطع‌شده از بمب هاي الكترومغناطيس همواره موردتوجه محققين بوده است. به همين منظور در اين مقاله، تأثير يك بمب الكترومغناطيس HPM بر روي قطعات الكترونيك در باند UHF موردبررسي قرارگرفته است. در ابتدا فنّاوري ماكروويو توان بالا بررسي و سپس خروجي تشعشعي سيستم توصيف‌شده و پترن انتشار ميدان الكترومغناطيسي نسبت به فاصله تخمين زده مي‌شود. بعد از آن مكانيسم كوپلينگ بين سيستم خروجي HPM و سيستم هدف بررسي و با سطح‌هاي آستانه خرابي قطعات الكترونيكي مقايسه مي‌شود. نتايج شبيه‌سازي نشان مي‌دهد كه افزايش فاصله و انجام شيلدينگ به‌صورت بسيار محسوسي در حفاظت از سامانه‌هاي هدف در برابر اثرات مخرب HPM مؤثر است به‌طوري‌كه مقدار توان كوپلينگ بمب الكترومغناطيسي فرضي در 500 متري هدفي با شيلدينگ 40 دي‌بي، نزديك به صفر بوده كه اين مقدار شيلدينگ، جهت حفاظت از دستگاه‌ها مطلوب است.