افزايش جذب لايه هاي فوتوولتائيك MoS2 در شبه بلور فوتوني فيبوناچي در ناحيه ي طول موج مرئي

Increasing absorption of MoS2 photovoltaic layers in Fibonacci quasi photonic crystals at visible wavelength region

لايه هاي مولبيديم دي سولفات، MoS2، از خانواده مواد تك لايه و دو بعدي قابليت چشمگيري براي استفاده در سازه هاي فوتوولتاييك نشان داده است. اما مقدار جذب و ناحيه طول موج جذبي آنها نياز به بهينه سازي دارد. در اين مقاله در راستاي افزايش جذب، اين لايه را در ساختار شبه بلور فوتوني فيبوناچي با لايه هاي دي الكتريك متشكل از Si و SiO2 قرار داده و به صورت تئوري جذب ساختار براي تابش عمودي با روش ماتريس انتقال در ناحيه ي طول موج مرئي مورد بررسي قرار گرفته است. براي دستيابي به بيشينه جذب در بازه گسترده اي از طول موج، طيف جذب ساختارهاي متفاوت فيبوناچي با تعداد دوره تناوب هاي مختلف بررسي شده است. ساختار فيبوناچي S6 با دوره تناوب 1، به علت دارابودن تعداد لايه هاي كمتر و جذب بيشتر در بازه گسترده تري از طول موج نسبت به بقيه ساختارهاي فيبانوچي، به عنوان بهترين ساختار پيشنهاد شده است. جذب در اين ساختار 13 لايه اي در بازه ي 428 تا 450 نانومتر به %100 مي رسد.