افزايش جذب فوق العاده با سطح زير منحني تخت در ساختار شبه بلورفوتوني فيبانوچي S4 متشكل از لايه هاي فوتوولتاييك MoS2

لايه هاي مولبيديم دي سولفات، MoS2، از خانواده مواد تك لايه و دو بعدي، قابليت چشمگيري براي استفاده در سازه هاي فوتوولتاييك نشان داده است اما مقدار جذب و ناحيه طول موج جذبي آنها نياز به بهينه سازي دارد. در اين مقاله در راستاي افزايش جذب با سطح زير منحني تخت، اين لايه را در ساختار شبه بلور فوتوني فيبوناچي S4 با لايه هاي دي الكتريك متشكل از Si و SiO2 قرار داده و ضخامت لايه هاي S4 براساس آنكه كدام يك از طول موج هاي تشديد MoS2 به عنوان طول موج طراحي انتخاب شود متفاوت خواهد بود. با توجه به سه طول موج تشديد MoS2، سه ساختار براي S4 طراحي شده است و به صورت تئوري جذب ساختارها براي تابش عمودي با روش ماتريس انتقال در ناحيه ي طول موج مرئي مورد بررسي قرار گرفته است. در نهايت، ساختار فيبوناچي S4 با طول موج طراحي 609 نانومتر و دوره تناوب 12، با جذب بالاي 90% با سطح زير منحني تخت در بازه ي 605 تا 665 نانومتر به عنوان بهترين ساختار پيشنهاد شده است.