طراحي نوسان ساز ولتاژ حلقوي با استفاده از ترانزيستورهاي نانولوله كربني

اين مقاله به طراحي نوسانساز كنترل شده با ولتاژ از نوع حلقوي با ترانزيستور اثر ميدان نانولوله كربني مي پردازد.شبيه سازي با استفاده از مدل CNTFET ارائه شده توسط دانشگاه استنفورد انجام شده است.براي مقايسه ، اين نوسانساز با استفاده از دو مدلپيشگويum0.25 وnm90 در تكنولوژي CMOS نيز شبيه سازي شده است.نتايج شبيه سازيها با استفاده از نرم افزار hspice نشان ميدهد كه شكل موج خروجي نوسانساز طراحي شده با تكنولوژي CNTFET نسبت به تكنولوژي CMOS داراي فركانس نوسان بسيار بالا ( بيش از 90 گيگاهرتز) مي باشد و توان مصرفي بهبود قابل توجهي يافته است