شماره ركورد كنفرانس :
4220
عنوان مقاله :
بررسي ناپايداري ناشي از دما و باياس منفي روي سلول حافظه SRAM مبتني بر FinFET
پديدآورندگان :
سالاريان سميرا s_salariyan@yahoo.com
دانشگاه آزاد اسلامي واحد بجنورد , مسعود m_houshmand@yahoo.com
دانشگاه پيام نور
كليدواژه :
پايداري سلول(SNM) , ترانزيستور FinFET , حافظه SRAM , قابليت اطمينان , ناپايداري ناشي از دما و باياس منفي(NBTI).
عنوان كنفرانس :
هجدهمين كنفرانس ملي دانشجويي مهندسي برق ايران
چكيده فارسي :
ناپايداري ناشي از دما و باياس منفي(NBTI) يكي از دغدغه¬هاي اصلي قابليت اطمينان براي افزاره¬هاي امروزي و آينده است كه باعث تخريب عملكرد در طول زمان مي¬شود. در اين مقاله به بررسي اثر NBTI در سلول حافظه SRAM براساس ترانزيستور FinFET پرداخته شده و اثر NBTI بر روي Hold SNM و Read SNM بررسي شده است. نتايج شبيه سازي با استفاده از نرم افزار HSPICE گره تكنولوژي 14nm در دماي 125 درجه سانتي¬گراد و منبع تغذيه 0.8 ولت براي فاصله زمان¬هاي مختلف انجام شده است. نتايج نشان مي¬دهد كه پديده¬ي ناپايداري ناشي از دما و باياس منفي مقادير SNM نگهداري و SNM خواندن را تحت تأثير خود قرار مي¬دهد و براساس اندازه¬گيري¬هاي انجام شده در اين پژوهش، در بدترين شرايط ميزان SNM نگهداري و SNM خواندن در نتيجه NBTI در فاصله زماني T= ثانيه ، به ترتيب15.32 % و34.93 % تنزل پيدا كرده و سلول ناپايدار شده است.
