مشخصه يابي اثر تشعشعات بر روي حسگرهاي تصويربرداري ساخته شده در فناوري 180 نانومتري سيماس

در اين مقاله، مدلي براي مشخصه ­يابي اثر تشعشعات بر روي حسگرهاي تصويربرداري ساخته ­شده در فناوري 180 نانومتري سيماس ارائه شده است. اين مدلسازي با استفاده از بار حالت ­هاي مياني و تله ­هاي اكسيد صورت گرفته است. براي صحت­ سنجي مدل از دو نوع حسگر تصويربرداري حساس به تشعشع ساخته ­شده در اين فن­ آوري كمك گرفته شده است. نتايج شبيه­ سازي مدل نشانمي­ دهد ميانگين خطاهاي مقدار جريان تاريك ساختارها در نتيجه شبيه­ سازي نسبت به نتايج آزمايش هاي تجربي 3 درصد مي ­باشد.مدل ارائه شده قابليت پيش ­بيني اثر دوز يونيزان كلي تشعشعات در حسگرهاي تصويربرداري ساخته­ شده در فن­ آوري سيماس 180 نانومتري را دارا مي­ باشد.