بررسي اثر دما بر مشخصه هاي فوتوولتايي سلول هاي خورشيدي پروسكايتي بدون انتقال دهنده ي حفره

در اين پژوهش براي لايه نشاني پروسكايت ، از روش لايه نشاني دو مرحله اي استفاده شد. در مرحله اول، محلول سرب يديد به روش لايه نشاني چرخشي بر روي لايه ي نانو ساختار تيتانيوم دي اكسيد قرار گرفت. در مرحله دوم، با روش لايه نشاني غوطه وري، محلول ايزوپروپانول HC(NH2)2Iبا دماهاي مختلف بر روي سرب يديد نشانده شد. نتيجه ي اين دو مرحله لايه نشاني ، قرار گرفتن يك لايه ي پروسكايت HC(NH2)2PbI3بر روي لايه ي متخلخل TiO2بود. مشخصه يابي فوتوولتايي سلول، از قبيل بازده تبديل توان ، ضريب پرشدگي، ولتاژ مدار باز، چگالي جريان مدار كوتاه انجام گرفت و نتايج با يكديگر مقايسه گرديد تا دماي بهينه مشخص شود.