برررسي خواص نوري و الكتريكي نيمرساناهاي پهن گاف ZnO, ZnSبا آلايش يون Cu+2 بعنوان باند مياني در كاربردهاي متفاوت جذب و انتقال فوتونهاي انرژي

در اين مقاله ما به بررسي تاثيرات آلايش مواد ناخالصي يونهاي +2Cu درون نيمرساناهايي پهن گاف اكسيد روي (ZnO) و سولفيد روي (ZnS) بعنوان يك باند مياني و افزايش طيف جذبي و كاربردهاي متفاوت اين نيم رساناهاي داراي حالت شيميايي پايدار به ويژه براي ساخت و ساز دستگاه هاي فتوولتائيك، اپتو الكترونيك وغيره ميپردازيم. اين نيم رساناها داراي گاف انرژي پهن اكسيد روي داراي گاف انرژي در محدودهي 3.4 eV و ZnS داراي گاف انرژي در محدودهي 3.7 eV به خوبي براي جذب طيف در منطقه ماوراء بنفش مناسب است اما براي جذب نور مرئي خيلي بزرگ هستند. به اين دليل ميتوانند تنها طيف ماوراء بنفش كه بخش كوچكي به اندازه تقريباً 5٪ از انرژي خورشيدي را جذب كنند در مقايسه با نور مرئي كه تقريبا 55 ٪ از انرژي خورشيدي را جذب ميكند بعنوان يك مشكل عمده اين مواد است. ميتوان به سادگي با دستكاري مهندسي ميتوانيم شكاف باند هر دونيمرسانايي ZnO و ZnS را كاهش داد. روش معمول براي كاهش فاصلهي باند يك نيمه هادي آلايش بلوري با عناصر ديگر(ايجاد ناخالصي) است.