بررسي اثرات ميدان الكتريكي بر پذيرفتاري مغناطيسي نانوتيوبهاي آلاييده شده

Investigation the effects of electric field on the magnetic susceptibility of doped Nanotubes

پذيرفتاري مغناطيسي كربن نانوتيوبهاو برن نيتريد نانوتيوبهاي آلاييده شده در حضور ميدان الكتريكي با استفاده از روش تابع گرين و در تقريب تنگ بست بررسي شده است. برن نيتريد نانوتيوبها داراي گاف بزرگ بوده و در حضور ميدان الكتريكي و ناخالصي كربن اندازه گاف كاهش مي يابد.براي همه نانوتيوبها با افزايش دما، اندازه پذيرفتاري مغناطيسي افزايش يافته و به مقدار ماكزيمم خود مي رسد. با اعمال ميدان الكتريكي، شدت پذيرفتاري مغناطيسي نمونه ها افزايش مي يابد. رفتار پذيرفتاري مغناطيسي به ناخالصي ارتباط مستقيم دارد و با افزايش درصد ناخالصي و شدت ميدان، مقدار اين پارامترها در بازه دماهاي پايين افزايش مي يابد.

The magnetic susceptibility of doped nanotubes in the presence of electric field investigated by using the Greens function method and tight binding approximation. The boron nitride nanotubes have the wide band gap and their band gap decrease by electric field and doping. For all nanotubes, the magnetic susceptibility increases by increasing the temperature until reaches its maximum value. Applying the electric field leads to increasing the magnetic susceptibility. It is found that the magnetic susceptibility dependent to the doping and by increasing the doping concentration and electric field strength, it increases in lower temperature ranges.