تاثير فشار جزئي گازهاي ورودي بر خواص دي الكتريك لايه‌هاي نازك سيليكون كربايد تهيه شده به روش رسوب بخار شيميايي با سيم داغ

Influence of total gas partial pressure on dielectric properties of SiC thin film deposited by HWCVD technique

خواص الكتريكي و اپتوالكترونيكي نيمرساناي سيليكون كربايد در كاربردهاي مختلف اهميت ويژه اي دارد. با تغيير يكي از پارامترهاي لايه نشاني در روش رسوب بخار شيميايي با سيم داغ، با افزايش فشار جزيي گازهاي ورودي در فشار محفظه ثابت، ضرايب دي الكتريك موهومي و حقيقي، همگام با كاهش ضريب شكست و ضريب خاموشي، كاهش يافتند. روند اين كاهش با تغييرات ساختاري ايجاد شده در لايه هاي نازك سيليكون كربايد قابل توجيه است.

The electrical and optoelectronic properties of silicon carbide semiconductors is very important in various applications. By changing one of the parameters in the deposition layer in hot wire CVD method, with the increasing total gas partial pressure in the constant chamber pressure, the imaginary and real dielectric coefficients, along with the decrease of the refractive index and the coefficient of extinction, were reduced. The process of this reduction is justified by structural changes in the thin layer of silicon carbide.