تحليل و شبيه سازي مدولاتور ماخ – زندر سيليكوني مبتني بر تخليه حامل

Analysis and Simulation of a Silicon Mach-Zehnder modulator based on carrier depletion

در اين مقاله، مدولاتور ماخ – زندر سيليكوني مبتني بر تخليه حامل در يك پيوند PN جانبي، تحليل و شبيه سازي شده است. مدولاتور شبيه سازي شده، بازده مدولاسيون V.cm6/4 را در باياس V5 نشان داد. در اينجا، مصرف توان مدولاتور پايين 0.95pJ/bit به دست آمد. نسبت هاي خاموشي اندازه گيري شده، به ترتيب، براي نرخ هاي داده 40 و Gbit/s50 تحت يك درايو ولتاژ Vpp8/1، 79/6 و dB80/5 اندازه گيري شد. اتلاف الحاقي براي انتقال نوري بيشينه، dB21/9 نشان داده شد. افزايش پهناي باند، كاهش تلفات، سازگاري با فناوري ساخت متداول سيليكون و پايين بودن درايو ولتاژ، از مزاياي ساختار شبيه سازي شده است. هدف از اين پژوهش، بهبود در پارامترهاي پايه و كليدي مدولاتور ماخ – زندر سيليكوني با طراحي دقيق پيوند PN و شيفت دهنده فاز طويل تر است.