خواص الكتروني و اپتيكي گاليوم ارسنايد و گاليوم فسفيد تك لايه

A first principle study of electronic and optical properties of GaAs and Gap monolayers

در اين پژوهش خواص الكتروني و اپتيكي تك لايه هاي GaAs و GaP با استفاده از محاسبات اصول اوليه بررسي شده است. محاسبات به روش امواج تقويت شده خطي در چارچوب نظريه تابعي چگالي با تقريب شيب تعميم يافته انجام شده است. نتايج بدست امده نشان مي دهد كه اين مواد داراي گاف غير مستقيم هستندو بررسي هاي اپتيكي نشان مي دهدكه تابع دي الكتريك به شدت به جهت قطبش نور بستگي دارد و آستانه جذب اين مواد در راستاي xدر ناحيه مرئي قرار ميگيرد.

Electronic and optical properties of GaAs and GaP monolayers was investigated by using frist principles calculation. The calculations were performed in the frame of density functional theory (DFT), using the full potential linearized augmented plane wave (Fp-LAPW) method with the generalized gradient approximation (GGA). The results show that this compounds has indirect band gap and the analysis of optical properties show that ε(ω) depends on the direction of polarized light. The threshold of absorption spectrum in x direction lie in the visible range of light.