كنترل باياس خارجي در حافظه RRAM مبتني بر گرافن

ظر به اينكه مكانسيم سوئيچينگ در دو حالت تك قطبي و دوقطبي در يك ساختار ساندويچي حافظه هايي با قابليت دستيابي تصادفي مقاومتي RRAM تنها به انتخاب الكترودها و مواد عايق آن وابسته نيست بلكه همچنين به حالت كاركرد نيز وابسته است و اين مكانسيم سوئيچينگ در RRAM , سويچينگ مقاومتي است, به معني اين كه تجهيز مي تواند آزادانه در يك حالت مقاومتي بالا ( حالت خاموش يا HRS) يا يك حالت مقاومت پايين ( حالت روشن يا LRS) تحت يك باياس خارجي برنامه ريزي شود لذا در اين مقاله مكانيسم انتقال الكترون بين لايه هاي اكسيد گرافن در حافظه RRAM مبتني بر اكسيد گرافن با اعمال ولتاژ خارجي مورد بررسي قرار مي گيرد . در اين مكانيسم , انتقال از حالت HRS به LRS بعنوان عملكردset و ولتاژ مربوطه, V_set و به همين ترتيب,انتقال از حالت LRS به HRS بعنوان عملكرد reset و ولتاژ مربوطه, V_reset شناخته مي شود.