ساختار الكتروني و خواص نيم فلزي سيلي گرافن (g-SiC2) آراييده با اتم منگنز

Electronic Structure and Half-Metallicity of Manganese-Adsorbed Siligraphene (g-SiC2)

امروزه جستجو براي نيم فلزها جهت استفاده در ابزارهاي اسپينترونيكي توجه زيادي را به خود جلب كرده است. در اين راستا، دست كاري و (يا) آراييدن شبكه هاي بلوري راهكار نويد بخشي را در اختيار مي گذارد. از اين رو، در اين گزارش به بررسي خواص الكتروني و مغناطيسي لايه ي دوبعدي سيلي گرافن (g-SiC2) آراييده با اتم منگنز، با استفاده از نظريه ي تابعي چگالي مي پردازيم. محاسبات ما نشان مي دهد g-SiC2 آراييده با منگنز دچار اعوجاج شده و گرماده است. ساختار نواري و نمودارهاي چگالي حالت‌ها همچنين نشان مي‌دهد كه اين اعوجاج همراه با قطبش اسپيني منگنز، اين ماده را از نيم رسانا به نيم فلزي فرومغناطيس تبديل مي كند.