شماره ركورد كنفرانس :
4341
عنوان مقاله :
تاثير زبري در سطح فصل مشترك الكترود پائين/لايه فعال بر عملكرد ممريستور با نانوساختار Au/TiO2/Au
عنوان به زبان ديگر :
Effect of the surface roughness of the bottom electrode/active layer interface on the performance of nanostructured Au/TiO2/Au memristor
پديدآورندگان :
عرب بافراني حميدرضا bafraniha@gmail.com دانشگاه صنعتي شريف، پژوهشكده علوم و فناوري نانو؛ , باقري شوركي سعيد bagheri-s@sharif.edu دانشگاه صنعتي شريف، دانشكده مهندسي برق؛ , مشفق عليرضا moshfegh@sharif.edu دانشگاه صنعتي شريف، دانشكده فيزيك؛
كليدواژه :
ممريستور , لايه نازك
عنوان كنفرانس :
سي و سومين كنفرانس ملي فيزيك ايران 1396
چكيده فارسي :
افزاره هاي مقاومت حافظه اي (ممريستور) به واسطه طيف وسيع كاربردهاي ويژه خود نظير حافظه هاي غيرفرار، محاسبات برپايه نئورومورفيك و غيره، توانسته اند توجه زيادي را در بين محققين به خود اختصاص دهند. بررسي نقش زبري سطح الكترود در عملكرد افزاره مقاومت حافظه اي با نانوساختار ساندويچ سه لايه اي فلز/اكسيد/فلز نه تنها اطلاعات مفيدي را براي فهم مكانيزم نحوه كار افزاره فراهم مي آورد، بلكه به بهينه ساختن كارائي و عملكرد نيز كمك مي كند. به اين منظور، نانوساختار سه لايه اي Au/TiO2/Au مورد بررسي قرار گرفت كه در اين افزاره لايه نازكي از دي اكسيد تيتانيوم به ضخامت 60 نانومتر بين دو لايه الكترود الگودهي شده پائين و بالا از فلز طلا به ترتيب با ضخامت هاي 60 و 40 نانومتر، لايه نشاني گرديد. مساحت سطح فعال اين افزاره برابر با µm2 900 طراحي شد. براساس نتايج اندازه گيري ها، مشخص شد كه با افزايش زبري سطح فصل-مشترك الكترود پائين/لايه فعال، ولتاژ تنظيم (Vset) در منحني جريان-ولتاژ افزاره كاهش مي يابد. در تحقيق حاضر اطلاعات مهمي براي فهم بهتر مكانيزم كليدزني افزاره هاي مقاومت حافظه اي برپايه دي اكسيد تيتانيوم ارائه خواهد شد.
