شماره ركورد كنفرانس :
4341
عنوان مقاله :
مطالعه مشخصات الكتريكي لايه هاي منفعل ساز مبتني بر نيمه هادي اينديوم آنتيمونايد
عنوان به زبان ديگر :
The electrical characterization study of passivation layers on InSb semiconductor
پديدآورندگان :
تقي زاده هدايت الله hedayatt2000@yahoo.com دانشكده شيمي دانشگاه صنعتي مالك اشتر ، اصفهان , سجادي شهاب الدين Ana@gmail.com دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر دانشگاه تهران ، تهران , باقر زاده مجيد m.baqerzadeh@gmail.com دانشكده فيزيك دانشگاه صنعتي شاهرود ، شاهرود , خليلي سجاد sajjadkhalili2000@gmail.com دانشكده برق و كامپيوتر دانشگاه سمنان، سمنان , عبداللهي حميدرضا hamidabd19891989@gmail.com دانشكده برق و كامپيوتر دانشگاه سمنان، سمنان , نظام دوست حميد h.nezamdoost@gmail.com دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر دانشگاه تهران ، تهران
عنوان كنفرانس :
سي و سومين كنفرانس ملي فيزيك ايران 1396
چكيده فارسي :
اينديوم آنتيمونايد از جمله مهمترين نيمه هادي ميباشد كه براي آشكارسازي امواج مادون قرمز مورد استفاده قرار ميگيرد. ايجاد ترازهاي انرژي مجاز درون گاف انرژي اين ماده كه پس از فرآيند منفعل در محل فصل مشترك بستر اين نوع آشكارساز و لايه عايق آنها پديد ميآيد منشا بسياري از مشكلات عملكردي در اين نوع افزاره ميباشد. در اين پژوهش جهت تعيين لايه مناسب براي منفعل سازي آشكارسازهاي نوري مبتني بر اينديوم آنتيمونايد چهار نوع لايه اكسيد آنودي، سولفوري ، سيليكون نايترايد و سيليكون اكسايد به دقت مورد بررسي قرار گرفتند. بررسي به كمك عكسهايي كه توسط ميكروسكوپ نيروي اتمي جهت تعيين مورفولوژي لايه منفعل ساز حاصل گرديده است. با استفاده از آزمايش پراش اشعه ايكس استوكيومتري لايههاي تشكيل شده را تعيين كرديم. اندازه گيري خازن بر حسب ولتاژ (C-V) نشان ميدهد كه كمترين چگالي نقصهاي فصل مشترك (1012×4/3) براي لايه سيليسيم اكسايد قابل حصول است.
