تاثير ميدان الكتريكي روي پذيرفتاري نوري غيرخطي نقطه كوانتومي كروي نقص دار

The Effect of Electric Field on the Nonlinear Optical Susceptibility of Defective Spherical Quantum Dot

در اين مقاله تاثير ميدان الكتريكي روي تغييرات پذيرفتاري نوري غيرخطي مرتبه سوم نقطه كوانتومي كروي نقص دار GaN/AlGaN مورد بررسي قرارگرفته است. نقطه كوانتومي پيشنهادي شامل يك نقص احاطه شده توسط دو چاه پتانسيل است. براي محاسبه پذيرفتاري نوري مرتبه سوم از روش ماتريس چگالي استفاده شده است. نتايج نشان مي دهند، با افزايش دادن ميدان الكتريكي طول موج تشديد به سمت آبي انتقال مي يابد. همچنين با افزايش ميدان الكتريكي ابتدا اندازه پذيرفتاري نوري افزايش، اما با افزايش بيشتر ميدان الكتريكي به مقدار بيشينه رسيده و شروع به كاهش مي كند. با ثابت نگهداشتن شكل هندسي نانوساختار و فقط با اعمال ميدان الكتريكي اندازه و محل پيك پذيرفتاري نوري غيرخطي مرتبه سوم را مي توان كنترل و مديريت كرد.