‫تاثير تهي جايي ‪ Zn‬بر خواص اپتيكي تك لايه دو بعدي ‪ZnO‬‬

‫‪The effect of Zn vacancy on the optical properties of two dimensional single layer ZnO‬‬

‫خواص اپتيكي تركيب گرافن گونه اكسيد روي در دو حالت خالص و تهي جايي ‪ Zn‬با استفاده از روش امواج تخت بهبود يافته خطي و پتانسيل كامل بررسي شده ‫است. نتايج نشان مي دهند كه تهي جايي اتم ‪ Zn‬ در تركيب گرافن گونه اكسيد روي منجر به رفتار نيم رساناي نوع ‪ p ‬مي شود. تابع دي الكتريك، ثابت دي الكتريك‬ ‫استاتيك و ضريب جذب ورقه گرافن گونه اكسيد روي در دو حالت خالص و تهي جايي ‪ Zn‬براي دو قطبش ميدان الكتريكي به كار رفته شده محاسبه شدند. قله‬ ‫خواص اپتيكي همچون بخش موهومي تابع دي الكتريك و طيف جذب در انرژي پايين تغيير مي كند. طيف جذب جابه جايي قرمز را نشان مي دهد و لبه جذب اپتيكي‬ ‫كاهش مي يابد كه در تطابق با تغييرات گاف نواري است. نتايج امكان استفاده از تركيب فوق در ادوات فوتوالكتريك فروسرخ و مرئي دارد.‬

‫‪The optical properties of graphene like ZnO in both pure and Zn vacancy states have been investigated by the‬‬ ‫‪full potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method. The obtained results show that Zn vacancy in‬‬ ‫‪the graphene like ZnO system leads to the p-type semiconductor. The dielectric function, static dielectric‬‬ ‫‪constant, and absorption coefficient of graphene like ZnO layer in both pure and Zn vacancy were calculated‬‬ ‫‪for both parallel and perpendicular polarizations of applied electric field. The peaks of optical properties such‬‬ ‫‪as imaginary part of dielectric function and absorption spectra change in the low energies. The absorption‬‬ ‫‪spectra show the red-shift and the edge of optical absorption decreases which is in a good agreement with the‬‬ ‫‪band gap changes. The results provide the possibility use of proposed structure in the infrared and visible‬‬ ‫.‪photoelectric nano-devices‬‬