شماره ركورد كنفرانس :
4341
عنوان مقاله :
بررسي اثر جانشاني اتمهاي Cu و Se بر خواص الكتروني نانوورقه‌هاي تك لايه GaN
عنوان به زبان ديگر :
Investigation of substitution of Cu and Se atoms on the electronic properties of GaN monolayer nanosheet
پديدآورندگان :
بخشايشي علي a_bakhshayeshi@yahoo.com گروه فيزيك، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامي، مشهد، ايران؛ , غفوريان ههذيه aminhassanzadeh7700@gmail.com گروه فيزيك، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامي، مشهد، ايران؛ , تقوي مندي روح الله taghavi62@yahoo.com گروه فيزيك، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامي، مشهد، ايران؛ , مجيديان سرمزده مسعود ma.majidiyan@gmail.com گروه فيزيك،دانشكده فيزيك، دانشگاه دامغان، ايران؛
عنوان كنفرانس :
سي و سومين كنفرانس ملي فيزيك ايران 1396
چكيده فارسي :
و اثر GaN در اين مقاله بر اساس نظريه تابعي چگالي و با استفاده از روش امواج تخت تقويت شده خطي با پتانسيل كامل، برخي از خواص الكتروني نانوورقه يك نيمرساناي غيرمغناطيسي با GaN بر روي خواص الكتروني آن مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج ما نشان ميدهد كه نانوورقه Se و Cu جانشاني اتمهاي ايجاد ميكنند. به GaN رفتار متفاوتي را در نانوورقه Se و Cu 2,202 است. بررسي ما نشان ميدهد كه جانشاني اتمهاي eV گاف انرژي غير مستقيم در حدود GaN رفتار فلزي از خود به نمايش ميگذارد. علاوه بر اين هر دو ساختار آلائيده نانوورقه GaCuN يك رفتار نيمه فلزي و نانوورقه GaSeN گونهاي كه نانوورقه 1,127 به دست آمده است. μB 1,00 و μB به ترتيب GaCuN و GaSeN مغناطيسي هستند. مقدار ممان مغناطيسي براي
