شماره ركورد كنفرانس
4341
عنوان مقاله
بررسي خواص اپتوالكترونيكي نقاط كوانتومي گرافن
عنوان به زبان ديگر
Optoelectronic properties of geraphene quantum dots
پديدآورندگان
داودي معصومه smdavoodi2190@gmail.com گروه فيزيك، دانشگاه خليج فارس، بوشهر؛ , جلالي تهمينه tah_jalali@yahoo.com گروه فيزيك، دانشگاه خليج فارس، بوشهر؛ , شيركاني حسين h.shirkani@gmail.com گروه فيزيك، دانشگاه خليج فارس، بوشهر؛
تعداد صفحه
4
كليدواژه
نقاط كوانتمي گرافن , خاصيت اپتوالكترونيكي
سال انتشار
1396
عنوان كنفرانس
سي و سومين كنفرانس ملي فيزيك ايران 1396
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
در اين مقاله، به منظور بررسي خواص اپتوالكترونيكي به شبيهسازي نقاط كوانتومي گرافن پرداختهايم. لذا در اين راستا با روش نظريه تابع چگالي DFT به كمك نرم افزار گاوسين، روش B3LYP وپايه 311-6 نقاط كوانتومي گرافن مدلسازي نمودهايم. بررسي نتايج نشان ميدهد كه هر چه نقاط كوانتومي كوچكتر و متقارنتر باشند، داراي گاف نواري بزرگتري خواهند بود. از طرف ديگر با افزايش تعداد اتمها بسامد تشديد افزايش پيدا ميكند. در نتيجه ميتوان نقاط كوانتومي گرافن را با خواص اپتوالكترونيكي دلخواه تنظيم كرد.
كشور
ايران
لينک به اين مدرک