شماره ركورد كنفرانس :
4343
عنوان مقاله :
بررسي ويژگي هاي ساختاري و الكتروني تركيب CuSbSe2 با استفاده از نظرية تابعي چگالي
پديدآورندگان :
صالحي حمدالله دانشيار، بخش فيزيك، دانشگاه شهيد چمران اهواز , اميري پيمان استاديار، بخش فيزيك، دانشگاه شهيد چمران اهواز , زارع حسن آباد روح الله zare.rohollah@gmail.com 3- دانشجوي دكتري، بخش فيزيك، دانشگاه شهيد چمران اهواز
كليدواژه :
كلكوژنيد , نظريه تابعي چگالي , گاف نواري
عنوان كنفرانس :
دومين كنفرانس فيزيك نانو و فرامواد: شبيه سازي تا صنعت
چكيده فارسي :
در اين مقاله خواص ساختاري و الكتروني كلكوژنيد CuSbSe2 به كمك نظريه تابعي چگالي با روش امواج تخت تقويت شدة خطي شده با پتانسيل كامل (FP-LAPW) محاسبه شده است. محاسبات با كد رايانه اي wien2k انجام شده كه در آن از تقريب هاي مختلفي براي بررسي خواص فوق استفاده شده است. گاف نواري با تقريب هاي مختلف محاسبه شد كه تقريب GGAmBJ+U تيجه بهتري را براي گاف نواري ارايه ميكند. ثابتهاي شبكه و مدول حجمي محاسبه و در صورت وجود با مقادير تجربي مقايسه شده كه سازگاري خوبي با نتايج تجربي دارد. ساختار نوار انرژي گاف نواري غير مستقيم را نشان ميدهد. چگالي حالتها در سطح فرمي به صفر ميرسد كه نشان دهندة رفتار نيمرساناي اين تركيب است.
