ترانزيستور اثرميداني نانولوله كربني با اتصال اهمي - شاتكي

ترانزيستورهاي اثرميداني ماسفتي نانولوله كربني، يكي از ساختارهاي مطرح شده براي ترانزيستورهاي مبتني بر نانولول ههاي كربني است. ساختارهاي مختلفي براي بهبود مشخصات الكتريكي اين نوع ترانزيستورها ارائه شده است. متاسفانه، اكثر طرحهاي مطرح شده، بدليل استفاده از نواحي اضافي، طول فيزيكي ترانزيستور را افزايش مي دهند. در اين مقاله، ساختاري پيشنهاد م يشود كه بدون افزايش طول ترانزيستور، مشخصات الكتريكي آن را بهبود مي بخشد. در ساختار پيشنهادي، ناحيه با چگالي بالا در سمت درين با يك ناحيه با چگالي خطي كم چگال و با همان اندازه جايگزين مي شود. لذا، اتصال در سمت درين از نوع شاتكي خواهد بود. مشخصات الكتريكي ساختار پيشنهادي با استفاده از روش تابع گرين شبيه سازي شده و نتايج آن با ساختار متعارف ترانزيستور ماسفتي و با همان ابعاد مقايسه مي شود. نتايج حاصل از اين (NEGF) غيرتعادلي مقايسه ها نشان مي دهد كه، ساختار پيشنهادي از رفتار خاموشي و كليدزني بهتري مخصوصا در جريانهاي روشني كم برخوردار است و در نتيجه كانديداي بسيار مناسبي براي كاربردهاي با توان پاييني مي باشد.