شماره ركورد كنفرانس :
4354
عنوان مقاله :
تاثيرات فشار ، حرارت ، ميدان مغناطيسي و شكل يك پتانسيل محدودكننده روي حالت هاي الكتروني در چاه كوانتومي
پديدآورندگان :
زكوي ميثم رmeysam.zakavi.phd@gmail.com دانشجوي كارشناسي ارشد دانشگاه صنعتي جندي شاپور دزفول , حكيمي فرد عليرضا ahakimyfard@jsu.ac.ir استاديار دانشگاه صنعتي جندي شاپور دزفول , معيري حمزه Moayeri@jsu.ac.ir 1. استاديار دانشگاه صنعتي جندي شاپور دزفول
كليدواژه :
نانو ساختار چاه كوانتومي , فشار , ميدان مغاطيسي , حالتهاي الكتروني , پتانسيل محدود كننده.
عنوان كنفرانس :
ششمين همايش ملي فناوري نانو از تئوري تا كاربرد
چكيده فارسي :
اين مقاله تاثيرات فشار ، حرارت ، ميدان مغناطيسي و شكل يك پتانسيل محدودكننده روي حالتهاي الكتروني در نانو ساختار
چاه كوانتومي را مورد بررسي قرار ميدهد. محاسبات به كمك روش تقريبي و با استفاده از تقريب جرم موثر انجام شده است.
پتانسيل محدودكننده اعمال شده ، پتانسيل پوشلـتلر ميباشد. نتايج نشان ميدهد كه با افزايش دما و ميدان مغناطيسي اعمال
شده انرژي حالتها افزايش يافته اما با افزايش فشار انرژي حالتها كاهش مييابد. دليل اين امر به دليل كاهش يا افزايش عرض
چاه كوانتومي محدود كننده تحت تاثير عوامل اعمال شده خارجي مي باشد.