شماره ركورد كنفرانس :
4354
عنوان مقاله :
بررسي نظري اثر اعمال ميدان الكتريكي بر خواص ساختاري و الكتروني نانولوله هاي زيگزاگ گرافدين
پديدآورندگان :
عبدالله ساره عبدالمحسن عزيز bo.gh@mail.um.ac.ir گروه فيزيك، دانشگاه فردوسي مشهد، مشهد، ايران. , رضائي ركن آبادي محمود گروه فيزيك، دانشگاه فردوسي مشهد، مشهد، ايران. , بهداني محمد گروه فيزيك، دانشگاه فردوسي مشهد، مشهد، ايران. , قنبري شوهاني بشرا گروه فيزيك، دانشگاه فردوسي مشهد، مشهد، ايران.
كليدواژه :
نانولوله هاي زيگزاگ گرافدين , نظريه تابعي چگالي , اثر ميدان الكتريكي.
عنوان كنفرانس :
ششمين همايش ملي فناوري نانو از تئوري تا كاربرد
چكيده فارسي :
در اين مقاله، مطالعه ساختار هندسي و الكتروني نانولوله هاي زيگزاگ گرافدين بر اساس نظريه تابعي چگالي انجام شده است. محاسبات با استفاده از كد محاسباتي سايستا، بر اساس روش تركيب خطي اوربيتال هاي اتمي جايگزيده و تقريب شيب تعميم يافته انجام شده است. نتايج بررسي هاي انجام شده نشان مي دهد كه همه اين نانولوله ها نيمرسانا هستند و گاف نواري مستقيم در نقطه گاما دارند. گاف نواري نانولوله هاي زيگزاگ وابسته به قطر نانولوله است و مقدار گاف نواري با افزايش قطر نانولوله ها كاهش مي يابد. بعلاوه اثر اعمال ميدان الكتريكي بر خواص ساختاري و الكتروني اين نانولوله ها محاسبه و بررسي شده است.