شماره ركورد كنفرانس :
4354
عنوان مقاله :
بررسي ساختار نواري نانولوله‌هاي دسته‌صندلي سيليكون كاربايد
پديدآورندگان :
افشون زهرا afshoon.za@gmail.com دانشكده فيزيك و مهندسي هسته اي، دانشگاه صنعتي شاهرود ، شاهرود , مولاروي طيبه tayebeh.movlarooy@yahoo.com دانشكده فيزيك و مهندسي هسته اي، دانشگاه صنعتي شاهرود ، شاهرود
كليدواژه :
نظريه‌ي تابعي چگالي , نانولوله‌ي دسته‌صندلي سيليكون كاربايد , گاف نواري , الكترونيك نوري
عنوان كنفرانس :
ششمين همايش ملي فناوري نانو از تئوري تا كاربرد
چكيده فارسي :
در اين مقاله به بررسي ساختار نواري و خواص الكتروني نانولوله‌هاي دسته صندلي سيليكون كاربايد، به كمك نظريه تابعي چگالي مي‌پردازيم. نتايج محاسبات ساختار نواري نشان مي دهد كه تمامي نانولوله‌هاي دسته‌صندلي SiC گاف نواري غير مستقيم دارند و نيمرسانا مي باشند. همچنين با افزايش قطر نانولوله، ميزان گاف نواري و ثابت شبكه محوري كه برابر با طول نانولوله مي باشد، افزايش مي يابد. سيليكون كاربايد يكي از مواد نانومتري است كه علاقه و توجه زيادي به خود جلب كرده ، كاربردهاي بالقوه در الكترونيك، الكترونيك نوري، و دستگاه‌هاي سنسور دارند. نانولوله سيليكون‌كاربايد (SiCNT) موادي با گاف نواري عريض هستند كه بي‌اثري بالا شيميايي ، استحكام شكست در ميدان الكتريكي ، سختي مكانيكي ، و تحرك الكترونيكي را دارند.
