خواص ساختاري و ترمو ديناميكي Ga27Ge3 با استفاده از نظريه تابعي چگالي

در اين مقاله با استفاده از محاسبات مبتني بر نظريه تابعي چگالي اثرات ناخالصي سيليكون بر نانو كلاستر Ga30 را بررسي كرده ايم. تعداد 500 ساختار مختلف را جهت بدست آوردن حالت پايه نانو سيستم Ga27Ge3 انتخاب كرده و مورد مطالعه قرار داديم. با استفاده از نمودار ظرفيت گرمايي دماي ذوب نمونه را محاسبه كرده و با دماي ذوب Ga30 مقايسه شده است. ما نشا ن داديم كه ناخالصي هاي ژرمانيوم اثرات قابل توجهي بر خواص ترموديناميكي اتم هاي ميزبان دارند. برعكس Ga30 ، گرماي ويژه Ga27Ge3 به طور واضح نشان مي دهد كه در دماي حدود 460 كلوين ذوب اتفا ق افتاده است و باعث شده است Ga30 كه نقطه ذوب مشخصي نداشت و در يك بازه دمايي ذوب مي شد هم اكنون با اضافه كردن ناخالصي داراي نقطه ذوب معلوم و مشخص شده است.