بهينه سازي لايه جاذب در سلول هاي خورشيدي لايه نازك

در اين مقاله شرايط بهينه براي ساخت لايه جاذب در سلولهاي خورشيدي لايه نازك CIGSمورد بررسي قرار گرفته است. از آنجا كه بازدهي سلول به پارامترهاي اين لايه بسيار وابسته است، بدست آوردن ويژگيهاي ايدهال براي آن از اهميت ويژهاي برخوردار است. در مراحل ساخت تاثير سلنايز لايه موليبدن و سونش شيميايي لايه جاذب بررسي شده است. نتايج منحني ولتاژ-جريان نشان داد نمونههايي كه لايه موليبدن آنها سلنيايز شدهاند، داراي چگالي جريان بيشتري هستند و طيف پراش پرتو ايكس ايجاد فاز MoSe2را كه دليل اين افزايش جريان بوده است را تاييد كرد. از سونش خيس KCNبراي حذف فاز اضافي سولفيد مس موجود بر روي سطح نمونه استفاده شد و نمونه هاي سونش شده داراي مقاومت موازي بيشتري بودند. بررسيها نشان داد كه انجام هر دو عمليات سلنايز لايه موليبدن و سونش لايه جاذب در فرآيند ساخت موجب كاهش مقاومت سري و افزايش چگالي جريان براي لايه جاذب ميشود.