ايجاد سيليكون سياه با استفاده از تپ‌هاي ليزري فمتوثانيه با شار انرژي‌هاي مختلف

در اين پژوهش با استفاده از تپ هاي ليزر فمتوثانيه، سطح ويفر سيليكون تابش داده شده است. شار انرژي تپ هاي ليزري به عنوان يك مشخصه ي مهم مورد مطالعه قرار گرفته و به ازاي سه شار انرژي 1، 3 و 9 كيلوژول بر مترمربع، بيناب بازتابي ليزر از سطح ويفر سيليكون پس از 1 دقيقه تابش دهي ثبت شده است. نتايج نشان مي دهد كه در شار انرژي ليزري پايين ، كندوسوز به طور مؤثر رخ نداده و ميزان بازتاب از سطح تغييري نكرده است. كندوسوز ليزري در شار انرژي ليزر مربوط به آستانه ي تشكيل پلاسماي يوني رخ مي دهد كه در نتيجه ي آن ساختارهاي ميخه مانند روي سطح سيليكون تشكيل مي شوند. تغيير ساختارروي سطح منجر به كاهش ميزان بازتاب از آن مي شود. در نتيجه، با تابش دهي ليزري سطح ويفر سيليكون در محدوده انرژي بيش از شار آستانه، سيليكون سياه ايجاد شده كه به دليل جذب بالاي آن قابليت بهبود فناوري ساخت سلول هاي خورشيدي را دارد.