تاثير چگالي آلايش بر توان نور خروجي از ديود نورگسيل تك چاه كوانتومي بر پايه InGaN/GaN

مهمترين مزيت استفاده از ساختار چاه هاي كوانتومي در ديود هاي نورگسيل، افزايش باز تركيب سطحي حاملهاي بار الكتريكي و به دنبال آن ارتقاء توان نور خروجي مي باشد. يكي از عوامل موثر در ميزان توان نور خروجي اين ديودهاي نورگسيل چگالي آلايش است. در اين مطالعه، يك ديود نورگسيل تك چاه كوانتومي بر پايه InGaN/GaN با استفاده از نرم افزار سيلواكو (اتلس) شبيه سازي و تاثير چگالي آلايش به ازاي ولتاژ ثابت آند بر روي عملكرد آن بررسي شده است. به ازاي مقادير مختلف چگالي آلايش، مشخصه هاي LED‌ بدست آمده است. با افزايش چگالي آلايش، مقدار توان نور خروجي شروع به افزايش كرده و به حالت بهينه مي رسد.