مدلاتور پلاسمونيكي تركيبي الكتروجذبي Al/p-Si سازگار با CMOS

هدف اين تحقيق طراحي مدولاتور مينياتوري پلاسمونيكي تركيبيAl/P-Si سازگار با CMOS با كاهش توان مصرفي در طول موج 1550 نانومتر است. بر اين اساس، مدولاتور n-p-n با افزايش ناخالصي نيمه هادي سيلكن و به كمك روش تفاضل محدود در حوزه زمان، با ابعاد يك ميكرومتر شبيه سازي شده است. با افزايش ناخالصي نيمه هادي سيلكون و با استفاده از خواص فلزي ايجاد شده در آن، مدهاي پلاسمونيكي پشتيباني شده و عمليات مدولاسيون صورت مي پذيرد. نتايج حاصل از شبيه سازي بيانگر ضريب خاموشي7/74 دسي بل و تلفات الحاقي 2/42 دسي بل و ولتاژ كاري بين صفر تا 2/3 ولت است كه مي تواند در راستاي طراحي مدولاتورهاي كم توان و مينياتوري مفيد باشد.