شماره ركورد كنفرانس :
4605
عنوان مقاله :
ارائه ساختارجديدنانو ديوداثرميداني با اتصال جانبي سيليسيم روي عايق جهت بهبود مشخصه الكتريكي
پديدآورندگان :
رضايي آرش arashrezaei92@yahoo.com دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر، دانشگاه صنعتي نوشيرواني بابل، بابل، مازندران، ايران؛ , عزيزالله گنجي بهرام baganji@nit.ac.ir دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر، دانشگاه صنعتي نوشيرواني بابل، بابل، مازندران، ايران؛ , قلي پور مرتضي m.gholipour@nit.ac.ir دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر، دانشگاه صنعتي نوشيرواني بابل، بابل، مازندران، ايران؛
كليدواژه :
تونل زني باند-به-باند(BTBT) , ديوداثرميداني با اتصال جانبي(S-FED) , نسبت Ion , Ioff.
عنوان كنفرانس :
بيست و ششمين كنفرانس مهندسي برق ايران
چكيده فارسي :
ديود اثر ميداني با اتصال جانبي (S-FED) به ازاي طول كانال كمتراز 35 نانومتر و با در نظرگرفتن پديده تونل زني باند به باند (BTBT) درحالت خاموش جريان زيادي را ازخود عبور مي دهند. در اين مقاله يك ساختار جديد از ديود اثر ميداني با اتصال جانبي در تكنولوژي SOI معرفي مي شود كه مشخصات الكتريكي بهتري نسبت به ساختارهاي متداول دارد. ايده اصلي مقاله بر مبناي كاهش تزريق حامل هاي اقليت ناشي از نواحي سورس ودرين دركانال درحالت خاموش با تكنيك كاهش سطح اشتراك كانال با نواحي سورس ودرين است. بهبود عملكرد قطعه توسط شبيه ساز دوبعدي بررسي مي شود. در ساختار پيشنهادي نسبت ION/IOFF از مرتبه100* 6/1 درساختار S-FED به 105* 3/1 در ساختار جديد افزايش يافته و بهبودي چشم گيري داشته است. نتايج نشان مي دهد كه ساختار پيشنهادي مشخصه الكتريكي بهتري نسبت به ساختار متداول ديود هاي اثرميداني درابعاد نانومتري را دارا است.
