شماره ركورد كنفرانس :
4605
عنوان مقاله :
جبران سازي حرارتي نوسان ساز حلقوي زيرآستانه در تكنولوژي CMOS
پديدآورندگان :
صادقي الهام e.sadeghi@shmu.ac.ir دانشكده مهندسي برق و رباتيك، دانشگاه صنعتي شاهرود، سمنان، ايران؛ , ابراهيمي عماد eebrahimi@shahroodut.ac.ir دانشكده مهندسي برق و رباتيك، دانشگاه صنعتي شاهرود، سمنان، ايران؛
كليدواژه :
نوسان ساز حلقوي , جبران سازي حرارتي , مراجع جريان , منبع جريان CTAT
عنوان كنفرانس :
بيست و ششمين كنفرانس مهندسي برق ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله به جبران سازي حرارتي يك نوسان ساز حلقوي با پنج طبقه وارون كننده ي متشكل از ترانزيستورهايي در ناحيه زيرآستانه پرداخته شده است. با توجه به اينكه در يك ترانزيستور MOS در ناحيه ي زيرآستانه افزايش دما سبب افزايش جريان مي شود بنابراين فركانس نوسان ساز حلقوي نيز در ناحيه زير آستانه با افزايش دما شديدا افزايش مي يابد. در اين مقاله جهت كاهش تغييرات فركانس نوسان ساز مذكور نسبت به دما، ايده ي استفاده همزمان از منبع جريان (Complementary to Absolute Temperature )CTAT و منبع جريان مستقل از دما پيشنهاد شده است. فركانس خروجي نوسان ساز حلقوي زيرآستانه در وضعيت جبران سازي نشده نسبت به دما در بازه دمايي دمايي °C¬40- تا °C¬85 داراي تغييراتي برابر با %6/29+ و ضريب دمايي به اندازه ppm/˚C 2966 است. با استفاده از ايده ي پيشنهادي تغييرات فركانس نوسان ساز حلقوي با دما به اندازه ي %39/1 كاهش يافت و ضريب حرارتي آن در بازه دمايي °C¬40- تا °C¬85 برابر با ppm/˚C 116 گرديد. توان مصرفي كل مدار در ولتاژ تغذيهV¬8/1 برابر با Wµ 7/18 مي باشد. اين نوسان ساز حلقوي و مراجع جريان جبران ساز آن در تكنولوژي TSMC 0.18µm CMOS طراحي و با استفاده از نرم افزار ADS شبيه سازي گرديد.
