شماره ركورد كنفرانس
4625
عنوان مقاله
تاثير فشار گاز محفظه واكنش بر ساختار لايههاي نازك سيليكون كاربايد تهيه شده به روش رسوب بخار شيميايي با سيم داغ
عنوان به زبان ديگر
Influence of reaction chamber gas pressure on structural properties of SiC thin films prepared by HWCVD technique
پديدآورندگان
فخرالدين مهرنوش m.fakhredin@gmail.com دانشكده فيزيك دانشگاه سمنان؛ , شريعتمدار طهراني فاطمه f_tehrani@semnan.ac.ir دانشكده فيزيك دانشگاه سمنان؛ , جعفر تفرشي مجيد mj.tafreshi@gmail.com دانشكده فيزيك دانشگاه سمنان؛
تعداد صفحه
4
كليدواژه
نانو ساختار سيليكون , سيليكون كاربايد , HWCVD , Reaction Chamber Partial pressure
سال انتشار
1397
عنوان كنفرانس
پنجمين كنفرانس ملي رشد بلور ايران
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
ساختار بلوري نيمرساناي سيليكون كاربايد در كاربردهاي مختلف اهميت ويژه اي دارد. با تغيير يكي از پارامترهاي لايه نشاني در روش رسوب بخار شيميايي با سيم داغ، با افزايش فشار محفظه گازهاي واكنش ساختار بلورين لايه هاي نازك سيليكون كاربايد دستخوش تغييراتي ميشود كه با تغييراتي در ضريب شكست و گاف انرژي همراه است. روند اين تغييرات همگام با تغييرات ساختاري ايجاد شده در لايه هاي نازك سيليكون كاربايد قابل توجيه است.
كشور
ايران
لينک به اين مدرک