شماره ركورد كنفرانس :
4625
عنوان مقاله :
بررسي ويژگي هاي الكتروني نانو صفحه اكسيدروي در حضور نقص تهي جا با استفاده از نظريۀ تابعي چگالي
عنوان به زبان ديگر :
Study of electronic properties of Zinc Oxide nano-sheet in the presence of vacancy defect with Density Functional Theory
پديدآورندگان :
كاشي سميه kashi.somaye@yahoo.com دانشكده فيزيك پلاسما، واحد علوم و تحقيقات، دانشگاه آزاد اسلامي، تهران؛ , اسلامي ليلا L.eslami@srbiau.ac.ir دانشكده علوم پايه، واحد علوم و تحقيقات، دانشگاه آزاد اسلامي، تهران؛
كليدواژه :
نانوصفحه , كوانتوم اسپرسو , تابع چگالي
عنوان كنفرانس :
پنجمين كنفرانس ملي رشد بلور ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله با استفاده از رهيافت نظريۀ تابعي چگالي و با استفاده از بسته محاسباتي كوانتوم اسپرسو و روش امواج تخت و تقريب شيب تعميم يافته GGA(PBE) به بررسي خواص الكترونيكي نانو صفحه اكسيد روي پرداختيم. با استفاده از نظريه تابعي چگالي ابتدا خواص الكترونيكي نانو صفحه اكسيد روي خالص را مورد بررسي قرار داديم و سپس با ايجاد نقص تهي جاي، مجدداً اين خواص را بررسي نموديم و مشاهده كرديم كه در حالت خالص ماده مورد نظر داراي گاف نواري مستقيم مي باشد و سيستم نيمه‌رسانا است در صورتيكه در حالت ايجاد نقص VO مقدار گاف كمتر شده و سيستم خاصيت فلزي از خود نشان مي دهد. در حالت ايجاد نقص VZn,O گافي مشاهده نمي شود.
