شماره ركورد كنفرانس
4625
عنوان مقاله
بررسي خواص ساختاري، الكتروني و حرارتي نانوورقه هاي GaAs
عنوان به زبان ديگر
Investigations of structural, electronic and thermal properties of GaAs nanosheets
پديدآورندگان
پاكيزه اسماعيل esmaeil_pakizeh@yahoo.com دانشگاه ياسوج؛ , ديلمي زهرا z_daylami@yahoo.com دانشگاه ياسوج؛
تعداد صفحه
4
كليدواژه
گاليم آرسنيد , نانوورقه , انبوهه , ضريب سيبك , نظريه تابعي چگالي , 70 , 71 , 73 , 65
سال انتشار
1397
عنوان كنفرانس
پنجمين كنفرانس ملي رشد بلور ايران
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
در اين تحقيق به بررسي خواص الكتروني، ساختاري و حرارتي ماده ي گاليم آرسنيد (GaAs) در دو حالت انبوهه و نانوورقه پرداختيم. محاسبات بر پايه نظريه تابعي چگالي (DFT) و روش امواج تخت بهمراه شبه پتانسيل با استفاده از تقريب شيب تعميم يافته (GGA) انجام گرفته است. همچنين شبه پتانسيل مورد استفاده به روش فوق نرم توليد شده است. آناليز ساختار نواري و چگالي حالات الكتروني براي ماده GaAs نشان مي دهد كه اين تركيب در حالت انبوهه، رفتاري نيمه رسانا با گاف انرژي 1.42 eV و در حالت نانوورقه بدون گاف و رفتاري فلزي دارد. براي بررسي خواص حرارتي، ضريب سيبك ماده را در حالت انبوهه در دماهاي 300، 600 و 800 درجه كلوين محاسبه نموديم. نتايج حاصله نشان داد كه با افزايش دما ضريب سيبك كاهش مي يابد.
كشور
ايران
لينک به اين مدرک