p53. محاسبه ابتدا به ساكن خواص ساختاري و اپتوالكترونيكي آلياژهاي تاليم گاليم آرسنايد

First principles calculations of structural and optoelectronic properties of thallium gallium arsenide alloys

در اين پژوهش محاسبات ابتدا به ساكن براي پيش‌بيني خواص ساختاري، الكترونيكي و اپتيكي آلياژهاي TlxGa1-xAs در ساختار مكعبي 16 اتمي با كد محاسباتي WIEN2k بر پايه‌ي نظريه تابعي چگالي انجام شد. تابعي SOGGA براي محاسبه خواص ساختاري تركيبات مورد استفاده قرار گرفت در حالي كه براي محاسبه دقيق خواص الكتروني و اپتيكي، تصحيح mBJ اعمال گرديد. در محاسبه خواص الكتروني، اثر اسپين- مدار درنظر گرفته شد. ضريب جذب، ضريب بازتاب، ضريب شكست و ضريب خاموشي آلياژهاي TlxGa1-xAs با محاسبات اپتيك خطي بدست آمد. نتايج حاصل نشان داد كه اين آلياژها پتانسيل خوبي براي كاربردهاي اپتوالكترونيكي بويژه آشكارسازهاي فروسرخ دارند.

In this study, first-principle calculations have been performed to predict structural, electronic and optical properties of TlxGa1-xAs alloy in a cubic supercell with 16 atoms by using WIEN2k computational code based on Density Functional Theory. The SOGGA functional were employed to calculate the structural properties of the systems while for calculation of reliable electronic and optical properties the mBJ correction was employed. Spin-orbit effect was considered in calculation of electronic properties of material. Absorption coefficient, reflectivity, refractive index and extinction coefficient were obtained to discuss the linear optical properties of TlxGa1-xAs alloys. The achieved results show a great potential utilization in optoelectronic devices especially in infrared detectors applications.