ارائه و بررسي مدل تحليلي براي تونل زني خط و نقطه در ترانزيستور تونلي اثر ميداني

Presentation and Analysis of the Line and point Tunneling Analytical Model in Field Effect Tunnel Transistor

در بين ساختارهاي ترانزيستوري جديد، ساختارهاي ترانزيستور FinFET بيش‌تر به علت ساختار ساده‌تر و فرآيند ساخت ارزان‌تر مورد توجه قرار گرفته است ترانزيستور تونل اثر ميداني (TFET) يك گزينه اميدوار كننده براي جانشيني MOSFET در ابعاد نانومتر است. به طور كلي، جريان TFET را مي توان به دو جزء تونل زني نقطه و تونل زني خط تجزيه كرد. در اين مقاله يك مدل تحليلي فشرده براي جريان با توجه به تونل‌زني نقطه ارائه مي كنيم. سه پارامتر كليدي براي طراحي يك TFET عبارتند از: شكاف باند، ضريب دي الكتريك و سطح داپينگ منبع. تونل زني نقطه و تونل زني خط وابستگي قوي به ضخامت دي الكتريك و غلظت داپينگ دارند.

Among the new transistor structures, the FinFET transistor structures are more likely to be considered due to a simpler structure and cheaper manufacturing process. The field effect tunnel transistor (TFET) is a promising option for replacing a MOSFET in nanometer dimensions. In general, the TFET stream can be split into two tunnel tunneling and line tunneling components. In this paper, we present a compact analytical model for flow with respect to point tunneling. The three key parameters for designing a TFET are: bandgap, dielectric thickness and source doping level.Point tunneling and line tunneling show a strong dependence on gate dielectric thickness and doping concentration respectively.