تحليل شيب زير آستانه ترانزيستور ماسفت دو گيتي با گيت دو ماده اي متقارن

Modeling subthreshold slope of a symmetric Dual-material Double-gate MOSFET

در اين مقاله، براي يك ترانزيستور دو گيتي با گيت دو ماده اي متقارن و با در نظر گرفتن حامل هاي متحرك بار كانال، با استفاده از پتانسيل دو بعدي كانال و مفهوم مسير هدايت مجازي، رابطه اي تحليلي براي شيب زيرآستانه ترانزيستور ارايه مي شود. شيب زير آستانه به صورت عكس تغييرات جريان درين نسبت به تغييرات ولتاژ گيت بيان مي-شود. جريان درين در شرايط زير آستانه خود به بار كمينه كانال وابسته است كه اين بار در مكاني از كانال قرار دارد كه در آن مكان پتانسيل در امتداد طول كانال كمينه خواهد شد. به ازاي عمق مشخصي از كانال در اين مكان كه مسير هدايت موثر ناميده مي شود، مقدار بار كمينه و جريان زير آستانه محاسبه خواهند شد و بر اساس آن شيب زير آستانه به دست مي آيد. تطبيق مناسب نتايج مدل پيشنهادي با نتايج شبيه سازي ترانزيستور، درستي مدل پيشنهادي را نشان مي دهد.

In this artical an analytical modeling of Subthreshold Slope in threshold regime are derived in symmetric Dual Material Double Gate MOSFETs transistor is proposed. this transistor have been consider in threshold regime . Based on the derived potential model, virtual catod analytical models for Subthreshold Slope in threshold regime are derived. For examining the accuracy of the proposed models, the analytical results are compared with numerical simulations of ATLAS software. Good agreement between analytical models and simulations shows the accuracy of the model.