دو مدار جديد در فناوري ترانزيستورهاي نانولوله كربني به منظور بهبود عملكرد سلول SRAM

در اين مقاله، ابتدا سلول SRAM شش ترانزيستوري پايه، در فناوري نانولوله كربني 32nm شبيه سازي و نتايج با سلول مشابه 32nm CMOS مقايسه شده است. سپس با تغيير پارامترهاي ترانزيستور نانولوله كربني در محدوده مناسب، عملكرد سلول SRAM در حالت هاي نوشتن، خواندن و نگه داري مورد مطالعه قرار گرفته است. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد كه توان مصرفي ناشي از جريان خاموشي و نشتي سلولSRAM با ترانزيستورهاي CNT بيش از 30 برابر نسبت به مدار CMOS كاهش يافته و قابليت اطمينان در عمليات نوشتن و خواندن مدار مبتني بر CNT نسبت به نمونه CMOS بهبود يافته است. سپس دو ساختار جديد براي سلول هاي SRAM پيشنهاد شده است. مدار اول، يك سلول حافظه هفت ترانزيستوري است كه ترانزيستور اضافه شده به مدار سلول حافظه شش ترانزيستوري، تا 50% اثر Clock Feed-through را كاهش مي دهد و بدين ترتيب منجر به افزايش حاشيه نويز مدار در حالت هاي خواندن و نوشتن مي شود. مدار دوم پيشنهادشده يك سلول حافظه SRAM هشت ترانزيستوري است كه در آن عملكرد خواندن، نوشتن و نگهداري، مشابه سلول شش ترانزيستوري پايه است؛ اما نتايج شبيه سازي مدار در HSPICE نشان مي دهد كه مقدار حاشيه نويز در عمليات خواندن تا 45% بهبود يافته است. هر دو مدار پيشنهادي در فناوري هاي 32nm CNFET و 32nm CMOS شبيه سازي شده اند تا عملكرد اين مدارها در هر دو فناوري مقايسه و بهبود نتايج هم در تغيير ساختار و هم در تغيير فناوري مشخص شود