شماره ركورد كنفرانس :
4707
عنوان مقاله :
بررسي و مقايسه انواع سلول هاي SRAM طراحي شده و بيان چالش هاي موجود در طراحي با تكنولوژيCNTFET
پديدآورندگان :
انصاري بني ليلا avaram1397@yahoo.com دانشكده مهندسي برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامي، نجف آباد، ايران , برزآبادي ابراهيم eborzu@yahoo.com دانشكده مهندسي برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامي، نجف آباد، ايران , فرخاني هومان H_Farkhani@yahoo.com دانشكده مهندسي برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامي، نجف آباد، ايران
كليدواژه :
تأخير , توان مصرفي , حافظه , CNTFET , SRAM .
عنوان كنفرانس :
پنجمين كنفرانس ملي مهندسي برق و سيستم هاي هوشمند ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله، ابتدا حافظه هاي متنوعي كه از لحاظ تعداد سلول بكار رفته (4Tr,5Tr,6Tr,7Tr,8Tr,9Tr,10Tr,11Tr,13Tr) تا به امروز براي حافظه SRAM طراحي شده اند، در تكنولوژيMOSFET با يكديگر از لحاظ حاشيه نويز استاتيك، حاشيه نويز نوشتن، تأخير خواندن و توان مصرفي مورد مقايسه قرار مي گيرند و همچنين تاثير ويژگي هاي غيرايده آل نانولوله ها مانند تغيير در قطر نانولوله و اثرنانولوله هاي هادي ونيمه هادي در تكنولوژي CNTFET ساختار اين سلول ها مورد بررسي قرار مي گيرد. قطرنانولوله به نسبت ماهيت نانو لوله (كه هادي باشد يا نيمه-هادي) تاثير بيشتري روي توان مصرفي كل دارد. در اين بررسي با افزايش قطر نانولوله، تأخير عمليات خواندن كاهش مي يابد و با افزايش درصد نانولوله هاي هادي، تأخير عمليات خواندن افزايش مي يابد. پس با توجه به اينكه حداقل تأخير عمليات خواندن ايده آل ما مي باشد، بايد تأثير ماهيت نانولوله را هم در طراحي لحاظ كرد. با افزايش توأمان نانولوله هاي هادي و قطر نانولوله، حاشيه نويز ايستا كاهش يافته در حاليكه پارامتر حاشيه نوشتن با افزايش قطر نانولوله افزايش و با افزايش نانولوله هاي هادي كاهش مي يابد. اثر قطر نانولوله روي پارامترهاي حاشيه نويز ايستا و حاشيه نوشتن، نسبت به اثر ماهيت نانولوله بيشتر است.
