ساختار يك ترانزيستور سيليكون بر روي عايق داراي دو دندانه در ناحيه كانال جهت كاربردهاي با ولتاژ شكست بالا: شبيه سازي عددي دوبعدي

ساختار ارائه شده در اين مقاله داراي ولتاژ شكست بالاتري نسبت به ساختار پايه مي باشد. در اين ساختار ما دوناحيه ي عايق از جنس SiO2را در ناحيه كانال و در قسمت انتهايي آن قرار داده ايم بطوري كه بصورت دو دندانه در كنار هم و در تقارن يكديگر قرار گرفته اند. براي شبيهسازي از نرم افزار سيلواكو استفاده كردهايم كه روش نيوتن را براي انجام محاسبات و حل عددي معادلات بكار گرفته است. از آنجايي كه تحمل شكست عايق چندين برابر نيمه هادي مي باشد لذا اين دوناحيه سبب مي شوند كه ولتاژ شكست در مقادير بزرگتري به وقوع بپيوندد و تحمل ترانزيستور افزايش يابد. همچنين وجود اين دو ناحيه باعث كاهش خازن هاي مسير گيت درين مي گردد كه باعث بهبود يافتن پارامترهاي RFمي گردد. پلهي اولي از سمت راست باعث بهبود ولتاژ شكست و پله ي دومي باعث بهبود پارامترهاي RFمي گردد. بنابراين ساختار مذكور از كارايي الكتريكي بالاتري نسبت به ساختار پايه برخوردار است.