شماره ركورد كنفرانس :
3294
عنوان مقاله :
مطالعه ابتدا به ساكن صف بندي ترازهاي انرژي در فصل مشترك ZnO - حلال
عنوان به زبان ديگر :
First-Principles Study of Energy Level Alignment at the ZnO-Solvent Interface
پديدآورندگان :
تقي پورآذر ياور سازمان انرژي اتمي ايران - پژوهشكده فيزيك و شتابگرها - گروه فيزيك نظري و محاسباتي , پيامي شبستر محمود سازمان انرژي اتمي ايران - پژوهشكده فيزيك و شتابگرها - گروه فيزيك نظري و محاسباتي
كليدواژه :
ترازهاي انرژي , ZnO , حلال , چگالي سطحي دو قطبي , اكسيد روي , دي متيل فرمامايد
سال انتشار :
بهمن 1395
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
چگالي سطحي دو قطبي در فصل مشترك اكسيد روي و حلال و تاثير آن بر صف بندي ترازهاي انرژي اين نيمرسانا در حضور مولكولهاي دو حلال رايج استونيتريل و دي متيل فرمامايد با استفاده از روش هاي ابتدا به ساكن مورد مطالعه قرار گرفته است. نتايج اين پژوهش نشان مي دهد كه يك برهمكنش قوي بين سطح و مولكول هاي حلال برقرار مي شود، و دو قطبي ايجاد شده در فصل مشترك نيمرسانا - حلال، اختلاف موثري در پتانسيل الكتروستاتيك دو طرف تيغه بوجود مي آورد كه باعث جابجايي لبه هاي نوار رسانش و ظرفيت نسبت به سطح تميز نيمرسانا مي شود. همچنين نشان داده شده كه بين مقدار پوشش سطحي و اختلاف پتانسيل دو سمت تيغه يك رابطه لگاريتمي برقرار است.
چكيده لاتين :
The density of Surface dipoles at ZnO-solvent interface and its effect on the energy level alignment of ZnO in the presence of two most popular solvents (MeCN and DMF) has been studied using ab-initio methods. Our results show that there is a strong interaction between the solvent molecules and the semiconductor surface, and the induced surface dipole moments lead to a significant electrostatic potential difference at the two sides of the semiconductor slab. Also, it is shown that there is a logarithmic-like relation between the surface coverage and the electrostatic potential difference
كشور :
ايران
تعداد صفحه 2 :
4
از صفحه :
1
تا صفحه :
4
لينک به اين مدرک :
بازگشت