ساخت فيلم تك لايه و چندلايه 𝑴𝒐𝑺𝟐 با روش رسوب شيميايي بخار

Synthesis of monolayer and multilayer 𝑀𝑜𝑆2 films by chemical vapor deposition method

ساختار MoS2 دو بعدي به دليل خواص الكتريكي و نوري منحصر به فرد خود، نظير كنترل گاف انرژي بر اساس ضخامت، ماده اي كاربردي براي دستگاه هاي الكترونيكي و الكترونيك نوري است. بنابراين ساخت اين ماده در مقياس بزرگ و با كنترل ضخامت از تك لابه به چندلايه اخيرا مورد توجه قرار گرفته است. در اين مقاله ما روش ساخت فيلم و تك لايه MoS روي زيرلايه Si / S02 را با روش رسوب شيميايي بخار معرفي نموديم. از پودر هاي Mo03 و گوگرد به عنوان مواد اوليه استفاده شد و پس از رشد آناليز ريخت شناسي SEM و همچنين آناليز رامان به منظور تعيين ضخامت ميانگين مورد بررسي قرار گرفتند. با توجه به نتايج، سطح مورد نظر در مناطق مختلف به صورت توده اي (شامل بلورهاي ميكرومتري) ، فيلم چندلايه و همچنين حوزه هاي گسسته ي مثلثي تك لابه اي رشد كرده بودند.

𝑀𝑜𝑆2 is a practical material for electronic and optoelectronic devices due to its uniqe electrical and optical properties including the bandgap modulation with film thickness. So large scale production of this material with thickness control from single to few layers has yet to be domenstrated. In this article, we introduce a method for growthing film and single layer 𝑀𝑜𝑆2 on 𝑆𝑖/𝑆𝑖𝑂2 substrate by chemical vapor deposition method. 𝑀𝑜𝑂3 and sulphur were used as source material. After growth, SEM and raman analysis were used for investgating the morphology and thickness of the films. As a result, the surface growths such as bulk, multilayer film and discrete monolayer triangular domains in different areas