شماره ركورد كنفرانس :
1945
عنوان مقاله :
محاسبه جريان تونل زني گيت در ترانزيستورهاي MOSFET با عايق گيت نازك
پديدآورندگان :
مسلمي حسن مجتمع آموزش عالي اسفراين , ايمانپور عباس دانشگاه سلمان فارسي كازرون , عميدي مهرداد دانشگاه آزاد اسلامي واحد كازرون
كليدواژه :
ضخامت اكسيد , چاه پتانسيل , تابع موج , چگالي جريان تونل زني
عنوان كنفرانس :
كنفرانس ملي دستاوردهاي نوين در برق و كامپيوتر
چكيده فارسي :
جريان تونل زني اكسيد گيت در ماسفت ها يكي از مهمترين عوامل در تحليل و اندازه گيري پارامترهاي اين قطعات است. در كار پژوهشي حاضر، ابتدا اثر جريان گيت در ترانزيستورهاي ساخته شده در فناوري روز نيمه هادي بررسي شد و لزوم محاسبه آن ذكر شد و سپس با استفاده از مدلي جديد به محاسبه ي عرض چاه پتانسيل ايجاد شده در ناحيه ي وارونگي و همچنين تابع موج الكترون ها در واسط بين اكسيد و نيمه هادي پرداخته شد و در نهايت به كمك نتايج حاصل از اين محاسبات چگالي جريان تونل زني گيت شبيه سازي شد. عملكرد لايه ي وارونگي به شكل يك چاه پتانسيل متقارن ساده سازي شده است. تابع موج به دست آمده از مدل پيشنهادي در واسط، مقداري غير صفر است كه از سازگاري بيشتري با نتايج تجربي جديد ارايه شده در مقالات معتبر برخوردار است. نتايج شبيه سازي هاي مدل پيشنهادي با مدل هاي معتبر ديگر مقايسه شد و انطباق بالاي آن را نشان داد.
