وابستگي دمايي اثر كاهش سد پتانسيل به وسيله درين در افزاره هاي CNT-FET

پس از كشف نانو لوله ها پيشرفت هاي چشم گيري از نظر مدل سازي فيزيكي و تكنولوژيكي در زمينه ترانزيستور هاي اثر ميداني نانو لوله كربني (cntfet) صورت گرفته است. در اين مقاله ما به تاثير گذاري دما بر روي افزاره هايي كه از نانو لوله كربني (cntfet) به عنوان كانال استفاده مي كنند خواهيم پرداخت. تاكيد ما بر اثر گذاري دما بر روي كاهش سد پتانسيل توسط درين (DIBL) كه يكي از پارامتر هاي تعيين كننده در ترانزيستور هايي كه از كانال كوتاه استفاده مي كنند خواهد بود. در اين مقاله همچنين به تاثير گذاري بردار كاليرايتي بر روي دما و به دنبال ان تاثير بر روي كاهش سد پتانسيل توسط درين پرداخته خواهد شد.