بررسي تأثير فاصله ناخالصي از صفحه فسفرين بر روي ساختار نواري آن

The effect of impurity’s distance from Black Phosphorene nanosheets on its band structure

نواقص شبكه و حضور ناخالصي از مهمترين عوامل تاثير گذار بر روي خواص الكتريكي مواد دو بعدي است. در نيمرساناي دوبعدي فسفرين، به دليل ساختار چين خورده و ناهمسانگرد، فاصله ناخالصي ميتواند عامل مهمي در نحوه تاثير گذاري نواقص شبكه بر خواص الكتريكي و مغناطيسي فسفرين باشد. با استفاده از روش محاسبات اوليه، نشان دادهايم كه اتم فسفر خارج شده از صفحه، هنگامي كه در فاصله اي از 2/4 تا 2/7 آنگسترومي صفحه قرار ميگيرد، سبب كاهش ميزان گاف نواري از 0/96 به 0/78 الكترون ولت، تغيير محل گاف از Γ به X و همچنين القاي گشتاور مغناطيسي به نانو صفحه مي شود.

Defects and existence of impurities are two of most important factors on black phosphorene nanosheets (BPN) properties. In 2D semiconductor BPN, because of its puckered and anisotropic structure, impurity distance from BPN can have an impact on its electric and magnetic properties. By using the first-principle calculation method, we investigated the effect of phosphorus atom displacement from BPN and it is seen that band-gap size reduced from 0.96 eV to 0.78 eV if phosphorus atom locates in the distance range of 2.4 up to 2.7 Å far from BPN, also band-gap shifts from Γ to X and magnetic moment is induced to the BPN