مشخصات نويسندگان مقاله طراحي و شبيه سازي واحد هاي حافظه SRAM 7 ترانزيستوري با استفاده از ترانزيستورهاي اثر ميدان نانولوله كربني

در اين مقاله واحد هاي حافظه SRAM مورد مطالعه قرار مي گيرد، همچنين به نحوه طراحي سلول هاي حافظه با استفاده از ترانزيستورهاي اثر ميدان نانولوله كربني پرداخته مي شود. هدف از اين تحقيق معرفي سلول جديد حافظه با استفاده از ترانزيستورهاي اثر ميدان نانولوله ي كربني است كه به نسبت به مدل cmos مشابه آن، تأخير كمتر و نيز توان مصرفي پايين تري داشته باشد. اين تحقيق به كمك ابزار شبيه سازي Hspice و با به كارگيري مدل ارائه شده در دانشگاه Stanford (2012) انجام شده است. نتايج نشان مي دهد مدارات معرفي شده در مقايسه نمونه هاي قبلي داراي خصوصيات و پارامترهاي مداري بهتري هستند. همچنين با توجه به شبيه سازي انجام شده در نرم افزار Hspice ديناميك حدود 10% و PDP حدود 34% كاهش يافته است.