بررسي ابتدا به ساكن خواص ساختاري و الكتروني اتصال ناهمگون [ZnO[0001]/AgBr[111 براساس تقريب TB-mBJ

First principles study on the structural and the electronic properties of ZnO[0001]/AgBr[111] heterojunction

در اين پژوهش خواص ساختاري و الكتروني مرز مشترك اتصال دو نيمه هادي [ZnO[0001]/AgBr[111 به روش ابتدا به ساكن نظريه تابعي چگالي مورد مطالعه قرار گرفته است. براي محاسبه ي دقيق تر خواص حالات الكتروني و گاف انرژي در تركيبات فوق، از روش پتانسيل بك-جانسون اصلاح شده توسط ترن و بلاها استفاده شده است. در اين رهيافت گاف هاي انرژي به دست آمده در تطابق بسيار خوبي با مقادير تجربي قرار دارند. جزييات چگونگي بهبود نتايج در اين رهيافت بررسي شده اند. ساختار هندسي بلوري كپه اي و مرز مشترك دو نيمه هادي با واهلش تعيين شده اند. محاسبات حالات الكتروني براي ZnO و AgBr با ساختار كپه اي و نيز اتصال ناهمگون آن دو در فصل مشتركشان انجام پذيرفته است و نتايج مورد بحث قرار گرفته اند.

In this study, the structural and electronic properties of the ZnO[0001]/AgBr[111] semiconductor heterojunction is investigated based on the ab initio density functional theory. In order to obtain more accurate results of the electronic states and the energy gap in those compounds, we have utilized the Tran and Blaha modified Becke- Johnson potential. In this approach the obtained energy gaps are in very good correspondence with the experimental values. Improvement of calculation in this approximation is investigated in details. The geometrical structure of the bulk crystal and the interface between two semiconductors are determined by relaxation. Electronic states calculations for the bulk ZnO and AgBr and their interface have been performed and the results are discussed