شماره ركورد كنفرانس :
3294
عنوان مقاله :
بررسي اثر دماي محلول بر خواص ساختاري، الكتريكي و اپتيكي لايه هاي نازك CuS خالص تهيه شده به روش حمام شيميايي
عنوان به زبان ديگر :
The effect of solution temperature on the structural, electrical and optical properties of CuS thin films prepared by chemical bath deposition technique
پديدآورندگان :
خطيب زاده مرضيه دانشگاه صنعتي شاهرود - دانشكده فيزيك , عشقي حسين دانشگاه صنعتي شاهرود - دانشكده فيزيك
كليدواژه :
دماي محلول , خواص ساختاري , خواص الكتريكي , خواص اپتيكي , لايه هاي نازك CuS , روش حمام شيميايي , سولفيد مس , CBD
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله، به بررسي خواص ساختاري، الكتريكي، ترموالكتريكي و اپتيكي لايه هاي نازك سولفيد مس كه به روش حمام شيميايي (CBD) بر روي زيرلايه ي شيشه در دماهاي مختلف تهيه شده اند، پرداخته ايم. تصاوير FESEM نمونه ها نشان گر شكل گيري دانه هاي نانومتري (كوچكتر از 100nm ) و مشخصه يابي ساختاري آنها حاصل از طيف نگاري XRD بيان گر تشكيل ساختار آمورف در لايه هاي رشد يافته است. بررسي خواص ترموالكتريكي نشان دهنده ي رسانندگي نوع p در اين نمونه ها مي باشد. هم چنين بررسي خواص اپتيكي نشان مي دهد كه گاف نواري اپتيكي لايه ها در بازه 2/62 - 2/82eV بوده و با افزايش دماي محلول كاهش پيدا كرده اند. اين تغييرات مي تواند ناشي از تغييرات پهناي دنباله نواري وابسته به تهي جاهاي مس در ماده باشد.
چكيده لاتين :
In this paper, we have investigated the structural, electrical, thermo-electrical and optical properties of copper sulphide (CuS) thin films prepared by chemical bath deposition (CBD) method on glass substrate in different solution temperatures. The FESEM images indicated the presence of nano-grains (less than 100 nm) in the layers; and the structural characterizations by XRD spectra showed the formation of amorphous structure in the grown samples. The thermo-electrical study revealed p-type conductivity in these samples. Also the optical properties revealed that the optical band gap of the layers is in the range of 2.62-2.82 eV, and are decreased with increasing the solution temperature. These variations could be attributed to the variations of the band tail width related to Cu-vacancy defects in the material