بررسي خواص الكترونيكي و نوري نانو نوار گرافيني با تزريق بورون

Investigation of electronic and optical properties of boron doped graphene nanoribbon

در اين كار خواص الكترونيكي و نوري نانونوارهاي گرافيني با تزريق بورون با استفاده از بسته محاسباتي سيستا بررسي شده است. غلظت ناخالصي 4.76 % بوده و تزريق بورون در مركز نوار صورت گرفته است. در مقايسه با نانونوار گرافيني خالص، تزريق ناخالصي بورون باعث ايجاد حالت هاي جديد در گاف انرژي شده و يك قله جذب در ناحيه فروسرخ ايجاد مي كند.

In this work the electronic and optical properties of boron-doped graphene nanoribbons are investigated by using SIESTA. The impurity concentration is 4.76% and boron dopant located in the center of nanoribbon. In comparison with pure graphene nanoribbon, the boron impurity induces new states in the band gap and causes an optical absorption peak in the infrared region